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参数目录39847
> NTD4909NT4G MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
型号:
NTD4909NT4G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTD4909NT4G PDF
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1314pF @ 15V
功率 - 最大
1.37W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTD4909NT4G-ND
NTD4909NT4GOSTR
查看NTD4909NT4G代理商
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